NTE2984

NTE Electronics, Inc

NTE2984

Datasheet

模拟与电源

MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 8.5A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 25 V
制造商NTE Electronics, Inc
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
最大功耗60W

机械

封装Bag
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)