通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 7A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| 制造商 | NTE Electronics, Inc |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 900 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| 最大功耗 | 275W (Tc) |
机械
| 封装 | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
|---|