NTE2931

NTE Electronics, Inc

NTE2931

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 12.8A TO3PML

在产TO-3P-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 6.4A, 40V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 25 V
制造商NTE Electronics, Inc
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.8A (Tc)
最大功耗73W (Tc)

机械

封装Bag
Package / CaseTO-3P-3 Full Pack
供应商器件封装TO-3PML

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)