NTE222

NTE Electronics, Inc

NTE222

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CHANNEL 25V 50MA TO72

在产TO-206AF, TO-72-4 Metal Can模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 15 V
制造商NTE Electronics, Inc
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 20µA

电气

漏源电压25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50mA (Tj)
最大功耗360mW (Ta), 1.2mW (Tc)

机械

封装Bag
Package / CaseTO-206AF, TO-72-4 Metal Can
供应商器件封装TO-72

环境

工作温度-65°C~175°C(TJ)