通用
| 制造商 | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装 | Bag |
| 产品状态 | 在产 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 100mA, 1A |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 36 @ 1A, 0V |
| Power - Max | 6 W |
机械
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
|---|---|
| 供应商器件封装 | TO-66 |
环境
| 工作温度 | 90°C (TJ) |
|---|