TO220FMD10N65F

NextGen Components

TO220FMD10N65F

模拟与电源

MOSFET TO-220F N 650V 10A

在产Tube模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34.2 nC @ 10 V
制造商NextGen Components
Product StatusActive
系列TO-220F
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)

机械

封装Tube