NC1M120C12HTNG

Name: NC1M120C12HTNG
Brand: NextGen Components

模拟与电源

SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 100A, 20V
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8330 pF @ 1000 V
制造商	NextGen Components
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	NC1M
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 40mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	214A (Tc)
最大功耗	938W (Ta)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)