PXN7R7-25QLJ

Nexperia USA Inc

PXN7R7-25QLJ

Datasheet

模拟与电源

PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.7mOhm @ 11.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds770 pF @ 12.5 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

电气

漏源电压25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.8A (Ta), 32A (Tc)
最大功耗1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装MLPAK33

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)