PSMN2R2-40YSDX

Name: PSMN2R2-40YSDX
Brand: Nexperia USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56

在产SC-100, SOT-669模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5130 pF @ 20 V
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 1mA

漏源电压	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Ta)
最大功耗	166W (Ta)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)