PSMN1R0-40ULDX

Nexperia USA Inc

PSMN1R0-40ULDX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56

在产SOT-1023, 4-LFPAK模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号PSMN1R0
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs127 nC @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)

电气

漏源电压40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C280A (Ta)
最大功耗164W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
供应商器件封装LFPAK56, Power-SO8

环境

工作温度150°C(TJ)