PSMN0R9-30ULDX

Nexperia USA Inc

PSMN0R9-30ULDX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56

在产SOT-1023, 4-LFPAK模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.87mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7668 pF @ 15 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Ta)
最大功耗227W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1023, 4-LFPAK
供应商器件封装LFPAK56, Power-SO8

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)