PSMN015-100YLX

Nexperia USA Inc

PSMN015-100YLX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56

在产SC-100, SOT-669模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.7mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6139 pF @ 25 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A (Tc)
最大功耗195W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
供应商器件封装LFPAK56, Power-SO8

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)