PMXB75UPEZ

Nexperia USA Inc

PMXB75UPEZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.9A DFN1010D-3

在产3-XDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds608 pF @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
最大功耗317mW (Ta), 8.33W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN1010D-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)