PMXB65ENEZ

Name: PMXB65ENEZ
Brand: Nexperia USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3

在产3-XDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 3.2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	295 pF @ 15 V
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
最大功耗	400mW (Ta), 8.33W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)