PMV65XPVL

Nexperia USA Inc

PMV65XPVL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds744 pF @ 20 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A (Ta)
最大功耗480mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)