PMV65ENEAR

Nexperia USA Inc

PMV65ENEAR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 20 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
最大功耗490mW (Ta), 6.25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)