PMV240SPR

Nexperia USA Inc

PMV240SPR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs365mOhm @ 1.2A, 10V
基础料号PMV240
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds549 pF @ 50 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
最大功耗710mW (Ta), 8.3W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)