PMV120ENEAR

Nexperia USA Inc

PMV120ENEAR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB

已停产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds275 pF @ 30 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Not For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta)
最大功耗513mW (Ta), 6.4W (Tc)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101