PMT200EPEX

Name: PMT200EPEX
Brand: Nexperia USA Inc

模拟与电源

MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223

在产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	167mOhm @ 2.4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	822 pF @ 35 V
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	70 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.4A (Ta)
最大功耗	800mW (Ta)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)