PMPB215ENEAX

Name: PMPB215ENEAX
Brand: Nexperia USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 1.9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	215 pF @ 40 V
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA

漏源电压	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.9A (Ta)
最大功耗	1.6W (Ta), 15.6W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)