PMPB15XPH

Nexperia USA Inc

PMPB15XPH

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2875 pF @ 6 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta)
最大功耗1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN2020MD-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)