PMPB12UNEAX

Nexperia USA Inc

PMPB12UNEAX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 7.9A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1220 pF @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.9A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101