PMPB10ENZ

Nexperia USA Inc

PMPB10ENZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 10A DFN2020MD-6

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds840 pF @ 15 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗1.8W (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN2020MD-6

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)