PMPB08R4VPX

Nexperia USA Inc

PMPB08R4VPX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6

在产6-UDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.6mOhm @ 12A, 4.5V
基础料号PMPB08
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 6 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
最大功耗1.9W (Ta), 12.5W (Tc)

机械

Package / Case6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装DFN2020MD-6

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)