PMN120ENEX

Nexperia USA Inc

PMN120ENEX

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP

停产/老旧SC-74, SOT-457模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds275 pF @ 30 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A (Ta)
最大功耗1.4W (Ta), 6.25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-74, SOT-457
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)