PMH850UPEH

Nexperia USA Inc

PMH850UPEH

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds62.2 pF @ 15 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
最大功耗660mW (Ta), 2.23W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装DFN0606-3

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)