PMH550UNEH

Name: PMH550UNEH
Brand: Nexperia USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3

在产3-XFDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	670mOhm @ 770mA, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30.3 pF @ 15 V
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	770mA (Ta)
最大功耗	380mW (Ta), 2.8W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)