PMDT290UNEH

Nexperia USA Inc

PMDT290UNEH

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666

在产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds83pF @ 10V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C800mA (Ta)
Power - Max330mW (Ta), 1.09W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-666

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101