PMDPB85UPE,115

Nexperia USA Inc

PMDPB85UPE,115

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6HUSON

在产6-UFDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs103mOhm @ 1.3A, 4.5V
基础料号PMDPB85
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds514pF @ 10V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max515mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
供应商器件封装6-HUSON (2x2)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)