PMCM950ENEZ

Nexperia USA Inc

PMCM950ENEZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 4.8A 9WLCSP

在产9-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1160 pF @ 30 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.8A (Ta)
最大功耗780mW (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case9-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装9-WLCSP (1.48x1.48)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)