PMCM6501UNEZ

Nexperia USA Inc

PMCM6501UNEZ

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP

在产6-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds105 pF @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id0.9V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.7A (Ta)
最大功耗400mW

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装6-WLCSP (1.48x0.98)

环境

工作温度150°C(TJ)