NX1029X,115

Nexperia USA Inc

NX1029X,115

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666

已停产SOT-563, SOT-666模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 100mA, 10V
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.35nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds36pF @ 25V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C330mA, 170mA
Power - Max500mW

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
供应商器件封装SOT-666

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101