GAN3R2-100CBEAZ

Nexperia USA Inc

GAN3R2-100CBEAZ

Datasheet

模拟与电源

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

在产8-XFBGA, WLCSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 25A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 50 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 9mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A
最大功耗394W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-XFBGA, WLCSP
供应商器件封装8-WLCSP (3.5x2.13)

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)