BUK9Y12-100E,115

Nexperia USA Inc

BUK9Y12-100E,115

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

在产SC-100, SOT-669模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 25A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7973 pF @ 25 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A (Tc)
最大功耗238W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101