BUK7907-55ATE127

Nexperia USA Inc

BUK7907-55ATE127

Datasheet

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-220-5模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 50A, 10V
FET FeatureTemperature Sensing Diode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4500 pF @ 25 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tc)
最大功耗272W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-5
供应商器件封装TO-220-5

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)