BST82,235

Nexperia USA Inc

BST82,235

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB

已停产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs10Ohm @ 150mA, 5V
基础料号BST82
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
系列TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA (Ta)
最大功耗830mW (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

环境

工作温度150°C(TJ)