BSS192,115

Nexperia USA Inc

BSS192,115

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89

在产TO-243AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12Ohm @ 200mA, 10V
基础料号BSS192
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 25 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

电气

漏源电压240 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)
最大功耗560mW (Ta), 12.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
供应商器件封装SOT-89

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)