BSP225,115

Nexperia USA Inc

BSP225,115

模拟与电源

MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223

已停产TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15Ohm @ 200mA, 10V
基础料号BSP225
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 25 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C225mA (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

环境

工作温度150°C(TJ)