BSP100,135

Name: BSP100,135
Brand: Nexperia USA Inc

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223

停产/老旧TO-261-4, TO-261AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 20 V
制造商	Nexperia USA Inc.
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
最大功耗	8.3W (Tc)

工作温度	-65°C ~ 150°C (TJ)