BSH205G2AR

Nexperia USA Inc

BSH205G2AR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB

在产TO-236-3, SC-59, SOT-23-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs118mOhm @ 2.6A, 4.5V
基础料号BSH205
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds421 pF @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
最大功耗610mW (Ta), 10W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)