2N7002BKMB,315

Nexperia USA Inc

2N7002BKMB,315

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3

停产/老旧3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 450mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 10 V
制造商Nexperia USA Inc.
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C450mA (Ta)
最大功耗360mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装DFN1006B-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)