通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | 1T-SRAM |
| 访问时间 | 2.6 ns |
| 基础料号 | MSR820 |
| 制造商 | MoSys, Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 576Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 1.25 GHz |
| 供电电压 | 0.95V |
| Memory Organization | 8M x 72 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 324-BGA |
| 供应商器件封装 | 324-PBGA (19x19) |
环境
| 工作温度 | 0°C~85°C(TC) |
|---|