通用
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1200 V |
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机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| 供应商器件封装 | D3PAK |
环境
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
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