通用
| 制造商 | Microsemi Corporation |
|---|---|
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包装 | Bulk |
| 产品状态 | 停产/老旧 |
| Transistor Type | NPN |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 350W |
| Frequency - Transition | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Gain | 10dB |
机械
| Package / Case | 55AW |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 55AW |
环境
| 工作温度 | 200°C (TJ) |
|---|