JANSR2N7380

Microsemi Corporation

JANSR2N7380

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 14.4A TO257

停产/老旧TO-257-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 14.4A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 12 V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列Military, MIL-PRF-19500/614
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.4A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 75W (Tc)

机械

封装Tray
Package / CaseTO-257-3
供应商器件封装TO-257

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)