APTSM120AM55CT1AG

Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

模拟与电源

SIC 2N-CH 1200V 74A SP1

在产SP1模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
基础料号APTSM120
配置2 N-Channel (Dual), Schottky
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs272nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5120pF @ 1000V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 2mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc)
Power - Max470W

机械

封装Bulk
Package / CaseSP1
供应商器件封装SP1

环境

工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)