APTM60A23FT1G

Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1

停产/老旧SP1模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs276mOhm @ 17A, 10V
基础料号APTM60
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5316pF @ 25V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max208W

机械

封装Bulk
Package / CaseSP1
供应商器件封装SP1

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)