APTM50UM19SG

Microsemi Corporation

APTM50UM19SG

模拟与电源

MOSFET N-CH 500V 163A MODULE

已停产J3 Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 81.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs492 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22400 pF @ 25 V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusDiscontinued at
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA

电气

漏源电压500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C163A (Tc)
最大功耗1136W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseJ3 Module
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)