APTM20DUM10TG

Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4

停产/老旧SP4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
基础料号APTM20
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700pF @ 25V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
包装Bulk
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

电气

漏源电压200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175A
Power - Max694W

机械

Package / CaseSP4
供应商器件封装SP4

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)