APTM20DAM10TG

Microsemi Corporation

APTM20DAM10TG

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 175A SP4

停产/老旧SP4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 87.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13700 pF @ 25 V
制造商Microsemi Corporation
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C175A (Tc)
最大功耗694W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseSP4
供应商器件封装SP4

环境

工作温度-40°C~150°C(TJ)